【摘 要】
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通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较
【机 构】
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中国科学技术大学物理系,合肥 230026
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较未处理的样品增强了近一个数量级。在10 K低温PL谱中观察到多个紫外发光谱线。其中位于3.362 eV的中性舒服激子(D0X)占主导地位。值得注意的是D0X和它的双电子发射(TES)较未处理的ZnO均有很大增强。同时,Hall测试结果表明经Zn气氛处理样品的电子浓度较未处理样品提高了50％。
作者认为Zn扩散进入ZnO形成Zn(1)缺陷增强了ZnO紫外发光强度,提高了电子浓度。
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