氧化锌薄膜的激光辐照效应研究

来源 :第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:jiayunhe
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
本文详细研究了激光辐照对PLD技术制备的氧化锌薄膜室温下紫外光致发光性能和表面形貌的影响。研究结果显示:采用波长为248 nm的KrF准分子激光辐照可以大幅度提高室温下氧化锌薄膜的紫外光致发光谱强度,这主要是源于激光辐照导致了薄膜内氧空位浓度的急剧增加,而非薄膜结晶质量的改善;而辐照产生的热效应则使得薄膜晶粒熔融长大,表面粗糙度大大降低。
其他文献
本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定谔方程和泊松方程的自洽求解验证了当栅肖特
会议
5岁以下儿童死亡率为儿童生命指标,是妇幼卫生的重要信息指标,为加强泉州市的妇幼卫生信息管理水平,减少由于漏报、误报造成的误差,提高其决策价值。我院于1999年底至2000年
通过对熔体化学配比、热场和生长条件进行优化控制,有效地避免了晶体中产生团状、线状等高密度位错聚集结构,利用液封直拉法获得了多种电学掺杂的高质量InP和InAs单晶材料。I
会议
使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀
会议
利用二维光波导模型计算了脊形高度对限制因子和远场分布的影响。计算结果说明,脊形高度增加可以增加限制因子,降低阈值电流,提高斜率效率,降低远场纵横比。通过测量具有不同
以高反射率的SiO2/Ta2O5介质膜DBR作为反射镜,并利用激光剥离技术,制备了GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)。在光泵条件下,实现了低阈值蓝光激射,阈值能量密度为6.5mJ/cm2,激
为了减小栅漏电流,本文在Ni/Au栅和Al0.245Ga 0.755N/GaN异质结构间插入了3nm的薄铝层,并对这种新结构的肖特基结和传统Ni/Au肖特基结伏安特性和高温反偏漏电机制做了比较,结
会议
本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了
会议
采用MOCVD技术在蓝宝石基底上生长ZnO缓冲层,利用X射线衍射和原子力显微镜技术研究了生长温度和退火温度对缓冲层质量和表面形貌的影响。结果表明:低温生长时,生长温度的提高
会议
通过变温PL光谱和Hall测试研究高压掺Zn对ZnO单品紫外发光的影响。在Zn气氛及高压高温条件下,Zn可以扩散进入ZnO单晶。室温PL谱显示,经Zn气氛处理后的样品,其紫外发光强度较
会议