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软击穿后的MOS器件的微分电导谱已用于研究软击穿后的超薄SiO2的电导性质，结果表明：软击穿后的超薄SiO2的栅电流－栅电压特性的微分电导谱具有两个谱峰，低电压的谱峰源于隧道电子流隧穿单势垒，而高电压的谱峰源于隧道电子流隧穿双势垒。缺陷的有效质量、缺陷能级、缺陷的互作用能和缺陷相关的Si/ SiO2界面势垒高度可以由谱峰来测定。