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为了评估中子管内束流强度的准确性，设计了一套二次电子测量装置，采用间接测量法，利用中子发生器产生的氘离子束，对氘离子束轰击下氘化钛、氘化铒及氘化锆的二次电子发射系数进行了实验研究。利用氘离子自溅射的方式清洗靶表面，测得了氘离子轰击下不同金属氘化物的二次电子产额：二次电子产额随入射氘离子能量先升高后降低。同时利用Stemglass的理论对实验结果进行了分析，发现在阻止本领最大值附近存在一定问题，利用Koschar对Stemglass理论的修正，获得了近距离碰撞对电子阻止本领的贡献份额即份额因子；获得了二次电子发射系数随入射氘离子能量的变化规律。