【摘 要】
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本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益Gp≥36dB，1dB输出功率P-1dB≥37dBm，P-1dB时的功率附加效率PAE≥40％，三阶互调(IMD3)在输出单音功率低于31.2dBm时小于-29.5dBc。
【机 构】
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南京电子器件研究所,南京,210016
【出 处】
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2010’全国第十三届微波集成电路与移动通信学术会议
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本文报道了1.5GHz 3.4V 5W GaAs HBT功率放大器芯片的研制结果。该放大器采用2μm InGaP／GaAsHBT技术，芯片尺寸为1.86mm×2.26mm，在3.4V工作电压的测试条件下，芯片的功率增益Gp≥36dB，1dB输出功率P-1dB≥37dBm，P-1dB时的功率附加效率PAE≥40％，三阶互调(IMD3)在输出单音功率低于31.2dBm时小于-29.5dBc。
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