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石墨烯和硅烯的电子能带结构都呈现狄拉克锥特征，使纳米电子器件具有潜在的高电子迁移率。狄拉克锥是否存在于由碳和硅组成的二维碳硅烯材料中呢？我们通过密度泛函理论和紧束缚近似计算发现了两种具有狄拉克锥的碳硅烯结构，并进一步讨论了狄拉克锥的起源：为什么狄拉克锥会出现？狄拉克锥的位置在哪里？密度泛函和紧束缚近似的联合研究给出了关于狄拉克锥的成因、位置和形状的物理解释。该成果为精确控制二维碳硅纳米材料电学性质提供了理论基础。