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本文通过实验研究用磁控溅射技术生长的ZnO压电薄膜，运用XRD和SEM来测试ZnO薄膜的C轴择优取向生长情况和晶粒质量，比较了Si、覆盖在Si基底上的Al薄膜和SixNy薄膜三种材料衬底和退火处理对ZnO薄膜的结晶质量的影响。为了能够与CMOS工艺兼容，本文开发了仍然采用Al作为底电极但用一层SixNy薄膜与ZnO层隔离的MEMS压电器件的微制造工艺，以满足生长高质量的ZnO压电薄膜并与CMOS工艺兼容的要求。