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本文采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECvD)技术,采用适当比例的硅烷、锗烷、氢气作为反应气源,在衬底温度为200℃条件下制备微晶硅锗薄膜。首先研究了辉光功率对微晶硅锗薄膜材料结构特征和光电特性的影响。结果表明。由于锗烷的优先耗尽,随着功率的增加,微晶硅锗薄膜中的锗含量有不断降低的趋势。在此基础上,引入功率梯度的方法用于微晶硅锗本征层的制备,在沉积本征层的过程中分阶段降低功率。不仅优化了微晶硅锗材料晶化状况的纵向均匀性,而且使微晶硅锗电池本征层的带隙得到调控,减少了p/i界面带隙失配的影响。将此方法应用到微晶硅锗太阳电池中,电池性能一定程度上得到了改善,将其应用于非晶硅/微晶硅锗叠层电池,转换效率达到7.7%。