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将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅，其拉曼频移差为-0.3cm-1，高于文献报道的0.23cm-1.
晶圆级单轴应变SOI研究
【摘 要】
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将4英寸SOI片在自制的弧形弯曲台上进行机械弯曲，弯曲的硅片在250℃下退火20h，得到了单轴张应变的SOI样品。弯曲半径为0.75m的应变SOI样品的拉曼频移为520.3cm-1，相对于体硅
【机 构】
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西安电子科技大学微电子学院宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安710071
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
【发表日期】
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2011年11期
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