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该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合的理论模型。研究人员着重分析讨论生长温度及源的流量对这种非线性关系影响。
GaAs衬底上MOCVD生长立方相GaN材料的生长速率研究
【摘 要】
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该文首次报道在高温生长条件下用低压MoCVD在GaAs（100）面的生长立方相GaN的外延膜生长速率随时间衰减的特性，给出GaN外延膜的厚度同生长时间的非线性关系，同时建立了同实验相符合
【机 构】
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光电子工艺中心,北京中科院半导体所
【出 处】
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全国化合物半导体、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
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1998年期
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