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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改善限制载流子输运特性.
非晶硅锗单结电池本征层指数型带隙梯度设计以及其对电池性能的影响
【摘 要】
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采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,对用于三叠层中间电池的非晶硅锗P/I/N型单结电池进行研究.针对本征层锗含量提高造成其缺陷密度增大,电池的开路电压和填充因子随之下降的问题,通过对吸收层带隙梯度进行优化设计来改善限制载流子输运特性.
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,光电子薄膜器件与技术天津市重点实验室,光电信息技术科学教育部重点实验室,天津3000711
【出 处】
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第13届中国光伏大会
【发表日期】
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2013年6期
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