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采用等离子体化学气相沉积(PCVD)方法在Si(100)基体上沉积DLC(diamond-likecarbon)类金刚石薄膜，利用台阶仪测量了薄膜的厚度和应力，并用轮廓仪测量了薄膜的相变法向弯曲变形。实验结果表明，沉积后DLc/si材料发生了明显的相变弯曲变形，产生了很大的残余内应力。产生变形的主要因素是薄膜制备过程中由于相变导致的体积膨胀。