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采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术在单晶硅表面沉积非晶硅层。在非晶硅层沉积的过程中,周期性地采用氢等离子体对样品表面进行处理。分别研究了不同的射频功率密度、氢气流量以及刻蚀气压条件下,氢等离子体处理对晶体硅表面钝化效果的影响,结果表明:氢等离子体刻蚀速率越低,钝化效果越好;在氢等离子体处理后采用快热退火处理能更明显地改善样品的钝化效果,可使CZ 单晶硅片的少子寿命提高到1ms 以上。