背接触相关论文
CZTSSe太阳能电池的背界面接触质量在制备高性能器件中具有非常重要的作用.Mo背电极与吸收层发生化学反应和背界面的严重复合问题......
用AMPS1D软件模拟计算了CdTe薄膜电池中背接触层的结构和掺杂水平等因素对电池性能的影响。引入ZnTe或Cd1-χZnχTe复合背接触层都......
本文分析了有ZnTe/ZnTe:Cu插入层的CdTe太阳电池在能带结构上的变化.通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性,I-V特性,光谱响......
主要内容简介磷扩散吸杂效应磷吸杂在N-型IBC电池中的应用结论N-型背结背接触太阳能电池无表面金属遮光损失,高效N-型衬底无光致衰......
会议
碲化镉(CdTe)是一种制备高效率、低成本太阳电池的理想光吸收层材料。它是直接带隙半导体,禁带宽度为1.45 e V,与太阳光谱匹配良好......
权利要求1.一种钙钛矿/背接触晶硅叠层太阳能电池,其特征在于,它采用双结叠层结构,底电池为背接触晶硅太阳能电池,顶电池为钙钛矿......
本文采用具有良好的各项异性腐蚀特性、腐蚀速率高且无金属离子污染的四甲基氢氧化氨(TMAH)方法制备金字塔绒面，通过采用扫描电子显......
CuxTe 薄膜通过共蒸发方法制备,退火后得到单相CuxTe 薄膜,并且超过220℃的退火温度可以减少共存相的存在。通过紫外可见光谱......
本文采用QSS-μPCD(准稳态微波光电导衰减法)测试方法对IBC电池中前表面场的钝化和N型衬底的本体少子寿命进行测试研究.结合电晕CV......
目前金属电极绕通(metal wrap through,MWT)与指叉背接触(interdigitated backcontact,IBC)电池片主要有两种封装工艺路线,一种是......
背接触太阳电池具有无栅线遮光、易封装等优点，是高效晶体硅太阳电池的一个重要发展方向。本文介绍了一种基于p型单晶硅衬底的E......
在CdS/CdTe 太阳电池的制备中,易引入并形成各种深能级杂质.本文用深能级瞬态谱技术研究了石墨背接触CdS/CdTe 薄膜太阳电池的杂质......
对制备成本低、转换效率高的薄膜太阳能电池来说，把多晶硅薄膜上生长在玻璃上是一种很好的途径。在非硅衬底上采用直接沉积法形成的......
在n-Si与金属电极之间插入电子选择性材料Ca和Cs2CO3、LiFx,可有效降低接触电阻和界面复合,该文研究Ca和Cs2CO3、LiFx作为背场在氧......
Mo背接触对CIS(CIGS)电池性能有很大的影响,为了研究不同条件对Mo衬底性能的影响,我们制备了一系列样品。然后用膜厚测试仪、霍耳......
用真空共蒸发法制备了CuxTe薄膜并将其运用于CdTe太阳电池中.对薄膜进行了X射线衍射(XRD)分析,比较了有、无CuxTe插层的CdTe太阳电......
碲化镉(CdTe)是一种禁带宽度为1.45 eV的Ⅱ-ⅥI族直接带隙半导体,与太阳光谱的响应处在最理想的太阳光谱波段,而且CdTe薄膜具有高......
薄膜太阳电池的研究及其应用是当今光伏领域的热点。CdTe多晶薄膜太阳电池作为一种吸收率高、低成本的太阳电池,受到了广泛的注意......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb-Te薄膜,在N2气氛中进行573K退火处理,制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜.将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......
采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐......
利用Silvaco公司的Athena工艺仿真软件和Atlas器件仿真软件,对N型插指背结背接触(Interdigitated Back Contact,IBC)晶硅太阳电池......
在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能.采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接......
使用掺杂石墨浆作为碲化镉薄膜太阳电池的背接触层.研究了石墨浆的成分、涂覆了石墨浆后的热处理工艺对单元电池器件性能的影响.使......
将真空共蒸发技术沉积的ZnTe/ZnTe:Cu复合薄膜应用于CdS/CdTe太阳电池,作为碲化镉与金属背电极间的过渡层.比较了有无ZnTe复合背接......
采用硝酸-磷酸腐蚀CdTe薄膜,研究了硝酸-磷酸腐蚀速率、浓度、时间对薄膜的结构、形貌、组分的影响,获得腐蚀的最佳工艺条件.在腐......
我们采用等离子束轰击的方法,研究了干法腐蚀对多晶CdTe薄膜结构和性能的变化,以及对CdTe太阳电池性能的影响。发现与湿法腐蚀方法......
利用TCAD半导体器件仿真软件对中低倍聚光光伏系统中应用的N型叉指背接触（IBC）单晶硅太阳电池的电学性能进行了仿真研究。全面系统地......
利用TCAD半导体器件仿真软件详细地分析了前表面场（FSF）表面浓度及扩散深度对N型插指背接触（IBC）太阳电池电学性能的影响。分析和评价......
采用硝磷酸（NP）背表面刻蚀工艺并结合真空共蒸发法分别沉积了几种背接触层材料,研究了NP腐蚀对CdTe薄膜性能及背接触层的影响．结果表......
采用溶液法及后硒化处理的方式在柔性钼衬底上制备铜锌锡硫硒薄膜,并通过XRD、EDS、Raman和SEM分析薄膜的结晶性、物相和形貌。研......
利用TCAD半导体器件仿真软件对N型插指背接触（Interdigitated Back Contact,IBC）单晶硅太阳电池发射区半宽度进行研究,全面系统地分......
在CdTe与金属背电极间形成稳定的低电阻接触,有助于提高CdTe太阳电池性能。采用硝酸-冰乙酸腐蚀CdTe薄膜并用真空蒸发法沉积铜背接......
摘要用真空共蒸发法制备了CuxTe薄膜并将其运用于cdR太阳电池中。对薄膜进行了X射线衍射（XRD）分析，比较了有、无CuxTe插层的CdTe太阳......
利用TCAD半导体器件仿真软件设计了一种具有非均匀掺杂衬底结构的N型插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池。全面系统地分析了非均匀......
德国博世太阳能公司与德国哈梅林太阳能研究所采用离子注入交又背结背接触（IBC）技术，成功制成了一款转换效率达22．1％的晶体硅太阳能光伏......
1、温度的监测判断电动机是否过热常采用下面的经验方法：（1）手触摸法。这种检查必须用验电笔查明电动机无漏电后方可进行，用手背接触电......
采用电子束蒸发法制备VSe2薄膜并进行退火处理,通过XRD、SEM、透过谱、Hall效应、电导率–温度关系等表征了薄膜的结构、形貌、光......
采用真空共蒸发法在室温下沉积Sb—Te薄膜，在N2气氛中进行573K退火处理，制备出符合化学配比的Sb2Te3薄膜。将Sb2Te3薄膜用作CdTe太阳......
分析了有ZnTe／ZnTe：Cu插入层的CdTe太阳电池在能带结构上的变化，通过对比有无插入层的CdTe太阳电池在C-V特性、I-V特性、光谱响应上的......
