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本文阐述了GaAs PHEMT器件的一种主要失效机理——栅金属下沉效应，介绍了栅金属下沉的研究现状和常见研究方法，详细探讨了高温加速寿命试验下,GaAs PHEMT器件栅金属下沉的物理机制以及其对器件性能参数的影响。GaAs PHEMT器件的栅金属下沉主要是由于Ti/Pt/Au栅中的Ti向AlGaAs肖特基势垒层扩散引起的,从而使得栅与InGaAs沟道层间的距离减小,最终影响器件的典型DC特性和RF特性。