【摘 要】
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硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参数.本文通过调节硅烷浓度,得到了系列位于非晶/微晶过渡区内的材料.研究发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个特别的区域,该区域内的材料光敏性比普通非晶硅高.以这部分材料作为太阳电池的本征层,通过优化电池结构,在SnO2衬底上制备pin型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.916V.
【机 构】
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南开大学光电子薄膜器件与技术研究所,天津,300071
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硅烷浓度是影响等离子体增强化学气相沉积硅薄膜材料特性的一个重要参数.本文通过调节硅烷浓度,得到了系列位于非晶/微晶过渡区内的材料.研究发现:在非晶/微晶过渡区内存在着一个特别的区域,该区域内的材料光敏性比普通非晶硅高.以这部分材料作为太阳电池的本征层,通过优化电池结构,在SnO2衬底上制备pin型太阳电池,电池的初始开路电压(Voc)达到了0.916V.
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