论文部分内容阅读
新型δ-咔啉衍生物在蓝光PhOLEDs器件中的应用
【机 构】
：
上海大学理学院化学系 上海市上大路99号 200444;上海大学新型显示及系统集成教育部重点实验室 上海市延长路149号 200072
【出 处】
：
第十四届全国发光学学术会议
【发表日期】
：
2016年5期
其他文献
石墨烯量子点作为一类零维的石墨烯基纳米材料，因其量子限域效应和缺陷效应，拥有许多优良的物理化学特性，例如：优异的光学性质，低毒性，好的生物相容性，抗光漂白，高度可调的光致发光性质、电化学发光和易于生物分子官能化等。
会议
采用磁控溅射法制备了大面积均匀的MoS2 薄膜，实验结果显示所制备的MoS2 具有较好的结晶性，吸收光谱也在620 nm、673 nm 以及350～450 nm 波段显示出特征吸收峰，拉曼成像结果显示MoS2 薄膜具有很好的区域均匀性。
通过高温固相反应,在不同温度下制备了Yb,Er 共掺杂Sr0.5Ba0.5YF5(即Sr0.5Ba0.5Y0.88F5：10％Yb,2％Er)上转换荧光粉,借助X 射线衍射(X-ray Diffraction)、扫描电镜(Scanning Electron Microscopy)和荧光光谱(Photoluminescence)对所得样品的晶相结构、形貌和发光性能进行了表征,结果表明：烧结反应温度对
Abnormal high-temperature luminescence enhancement observed in monolayer MoS2 flakes:thermo-driven t
会议
ZnO 是一种宽禁带(3.37 eV)半导体材料，室温下具有高达60 meV 的激子束缚能，以及良好的光学增益，这些优势使得ZnO 成为构建低阈值高效率紫外发光器件的理想材料.目前，高质量稳定的p 型ZnO 仍然较难获得，构筑ZnO 基异质结器件成为研究的热点.
半导体ZnO 具有优越的材料特性(宽禁带：3.37 eV,高激子束缚能：60 meV)和良好的光学及电学性质,是发展短波长、低阈值发光/激光二极管(LEDs/LDs)的理想候选材料之一.目前,获得高质量稳定可重复的p 型ZnO 仍然存在很大的困难,制约了其同质结器件的发展.近年来,研究人员将目光投向了构建ZnO 基异质结器件.
我们利用空穴传输材料m-MTDATA、电子传输材料3TPYMB 以及銥的配合物Ir(piq)3通过旋转涂覆法制备了基于绿光激基复合物的主客掺杂型红色磷光电致发光器件，研究了激基复合物三线态能级以及掺杂浓度对器件性能的影响。