高性能光学薄膜器件

来源 :2021光电子材料与器件发展论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:rfg45y5465u5
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  介绍超低损耗激光薄膜、高性能薄膜滤光片。
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Si 衬底上GaN 基电子材料和器件是目前国际上氮化物半导体领域的研究前沿,受到学术界和产业界的高度重视。由于GaN 和Si 衬底之间存在着巨大晶格失配和热失配,由此导致的高密度缺陷和残余应力严重影响器件性能,成为制约该领域发展的关键瓶颈。
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稀土离子掺杂的光纤放大器的研究已经获得了很好的研究成果,因为其具有较高的增益和饱和输出功率,较低的噪声和较小的连接损耗等优点。但是,天然元素辐射和吸收光谱的波长和波段是固有和无法改变的。
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近年来,飞秒激光微加工作为一种新型微纳制造技术,由于其可以实现对各类材料进行微纳加工,加工精度高,尤其它的三维加工能力,成为三维微纳制造领域的前沿和热点研究方向之一。
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随着人工智能物联网的发展,在传感网络中传感节点的数量正在飞速增长,其产生的海量原始且非结构化的传感数据需要更高的计算能效及计算速度。
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氮化镓(GaN)基高电子迁移率晶体管以及肖特基势垒二极管由于其出色的器件性能备受关注。然而,它们在太空探索,航空航天,以及超导系统等低温环境(<77K)中的应用潜力尚未得到充分开发。
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随着第三代半导体技术的发展与变革,AlGaN 基深紫外发光二极管(DUV LED)因其节能环保和小巧便携等优势而备受关注,并在紫外杀菌、紫外固化、生物医疗和照明等领域展现出巨大的应用价值。
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为了在具有微纳级尺寸狭缝宽度的高深宽比结构中增加深宽比,在制备狭缝宽度分别为250nm 及150nm 的预实验基础上,测试并改进了光刻工艺的实验参数,并对制备结果进行观察与分析,得出最佳的实验条件。
会议
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会议
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