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本文对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺进行了分析,深入研究了SEB和TID的机理,给出了大功率VDMOS抗单粒子辐照的加固方法,为新卫星电源分系统的可靠性研究打下了良好基础。
国产VDMOS辐射效应研究
【摘 要】
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本文对国产抗辐照VDMOS锎源辐照试验结果和制作工艺进行了分析,深入研究了SEB和TID的机理,给出了大功率VDMOS抗单粒子辐照的加固方法,为新卫星电源分系统的可靠性研究打下了
【机 构】
：
中国科学院微电子研究所 北京 100029
【出 处】
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中国电子学会第十四届青年学术年会
【发表日期】
：
2008年期
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