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本文介绍一个测量两结叠层电池中的子电池（顶电池，底电池）的I-V 特性的新方法。这个测量方法是由美国Toledo大学物理系的Dr. Xunming Deng 提出来的。测量的样品是a-Si/a-GeSi 两结叠层电池。本方法的特点是，同时采用两束不同波长的光照射电池，测量叠层电池在不同光照条件下的的开路电压Voc，短路电流Isc，和I-V曲线，通过计算，可以获得特定光照条件下叠层电池中的顶电池或底电池的I-V 特性。本方法可以帮助分析叠层电池研究中出现的问题，优化叠层电池的生长工艺，改进叠层电池的光伏特性。