诱导晶化相关论文
本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对......
金属Pd 诱导非晶硅(a-Si)晶化,实现了在较低温度下制备多晶硅薄膜[1].实验上发现,在退火条件下,Pd 晶界以及Pd 与(单晶)Si 衬底的......
基于金属诱导晶化方法,利用直流磁控溅射离子镀技术制备了Al-Si、Cu-Si和Ni-Si薄膜。采用真空退火炉和X射线衍射仪于不同温度下对样......
用卤钨灯照射的方法对非晶硅薄膜做退火,得到了多晶硅薄膜,它与传统炉子退火相比,退火时间大大缩短。用XRD 衍射谱、暗电导率等手段对......
能源危机和环境污染是人类可持续发展面临的严峻问题,而太阳能电池作为光伏转换器件,能有效地解决这一难题。由于硅基薄膜太阳能电池......
多晶硅薄膜在薄膜太阳电池和薄膜晶体管等大面积电子学方面具有明确的应用前景。由于具有高速沉积、气体利用率高和易晶化等特点,......
天然翡翠可能是形成于高温、高压条件,人工合成翡翠就普遍依此展开探索,但苛刻的制备条件使得人造翡翠成本较高,产品也都未商业化......
概述了非晶硅薄膜的金属诱导晶化原理,介绍了Al,Ni两种金属诱导非晶硅薄膜晶化的一般规律,详细探讨了金属诱导条件下非晶硅薄膜的本质......
本文采用磁控溅射法,衬底温度500℃下在硅衬底上分别制备具有Ge填埋层的a-Si/Ge薄膜和a-Si薄膜,并进行后续退火,采用Raman光谱、X......
采用测控溅射,通过Ge诱导晶化法在Si衬底上制备多晶Si薄膜。采用Raman光谱、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)及场发射扫描电镜(......