近年来高阶电子产品功能日新月异，随之而来的产品散热问题备受瞩目，并衍生散热材之热性改善需求。本文以金属基复合材料进行实验研究，利用具备优异电、热传导性质的铜作为基材，添加不同含量碳化钨，分别采含氢还原气氛、热压与热均压等三种方式进行铜基碳化钨复合材料烧结，观察其表面硬度、热膨胀系数、导电度以及热传导率变化。由实验结果得知，由於铜与碳化钨间润湿性不佳，经过还原气氛烧结或热压烧结後，在铜基材与碳化钨颗粒介面间所生成的气体不易释出，导致孔洞与微裂的生成，因此皆无法获得高致密度之烧胚，而热均压烧结样品可获得99.5％以上之理论密度值。随着碳化钨含量由0％提高到15％，该复合材料之导电度、热膨胀系数由103.7％IACS、18.3ppm/K至60.2％IACS与12.9ppm/K，而热传导系数由360.3w/m·K降为263.3W/m.K、硬度则因碳化钨强化由50.6Hv上升为83.4Hv。铜-碳化钨复合材料之性质除受到碳化钨含量影响，亦随其致密度不同以及制程而产生变化。