基于XRD的化学沉积Ni-P/SiC薄膜残余应力的实验研究

来源 :2006年全国博士生学术论坛——材料科学分论坛 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zxf3896641
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本文利用X衍射技术测试了化学沉积后的残余应力,同时测量了激光热处理后残余应力的变化规律,用SEM观察了化学沉积Ni-P/SiC的结构,分析了激光热处理参数对薄膜残余应力的影响规律。结果表明,化学沉积Ni-P/SiC的残余应力均表现为拉应力,经过激光热处理后残余应力发生了变化,由高值的拉应力变为低值的拉应力或压应力,有利于提高薄膜与基体的结合强度。
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