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Influence of GaAsBi capping layer on morphology of InAs quantum dots
【机 构】
:
School of Physic Science and Technology, ShanghaiTech University, 100 Haike Road, Shanghai, 201210,C
【出 处】
:
第七届铋化物半导体国际研讨会(7th International Workshop on Bismuth-contain
【发表日期】
:
2016年11期
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