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碳化矽材料對於科技上有很大的重要性，尤其是在需要高温，高频，和高能量的電子装置上。我们在這裡分析了一系列的氮参雜的n-type 6H碳化矽塊材結構。獲得了有趣的結果並進行討論。我们在國家同步輻射研究中心(NSRRC)的16A光束線上對矽的K層軌域進行柔X光吸收頻譜(約匀1 700電子伏特)的實驗。並在同樣的樣品上做了拉曼的研究。在這篇文章裡，利用同步輻射X光吸收精細頻譜來研究6H碳化矽裡矽的K層吸收状態。獲得了許多重要且豐厚的結果。我們知道X光精細結棒可以獲得特定原子内部的相關資訊。並且利用特定軟體将頻譜經過傅立葉蒋换後，我们可以模擬出其矽-碳和矽-矽的鍵長。進而可以得知在不同的生長情况，其對鍵長有何差别。這裡證明了高能量和高强度的同步輻射科技對研究材料内部特性來說是一項非常有力的工具，尤其是宽能隙的半導體。這項技術在现在與未來的材料科學上必定會扮演一倜重要的角色。