【摘 要】
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传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非极性的特点,排除了内极化电场的影响,有望提高GaN基器件的量子效率.本文用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出M面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化M面GaN单晶薄膜.
【机 构】
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江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京,210093 中国科学院上海光学精密机械研究所
【出 处】
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第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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传统的C面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于内部极化电场的存在限制了器件量子效率的提高.M面GaN等Ⅲ族氮化物半导体材料由于具有非极性的特点,排除了内极化电场的影响,有望提高GaN基器件的量子效率.本文用MOCVD方法在(100)LiAlO2衬底上研制出M面的非极性GaN薄膜材料.研究了不同生长条件对材料特性的影响.通过优化生长,获得了非极化M面GaN单晶薄膜.
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