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一种具有线性放人的JFET结构的器件，该器件在高电流电平下具有三极管特性，漏电流随漏电压约成线性增加，该器件线性区范围大，适用于人范围的音频放大器。该器件在栅极寄生一个二级管，防止JFET寄生三极管开启使器件烧毁，使之在正的栅压下仍然能正常工作。
一种具有线性放大特性的JFET设计
【摘 要】
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一种具有线性放人的JFET结构的器件，该器件在高电流电平下具有三极管特性，漏电流随漏电压约成线性增加，该器件线性区范围大，适用于人范围的音频放大器。该器件在栅极寄生一个二级管，防止JFET寄生三极管开启使器件烧毁，使之在正的栅压下仍然能正常工作。
【机 构】
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电子科技大学 成都 610054
【出 处】
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2009四川省电子学会半导体与集成技术专委会学术年会
【发表日期】
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2009年3期
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