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本文主要采用共蒸发法来制备GaSb薄膜,其中靠蒸发源的温度来控制反应的用量以及Te的掺杂浓度.主要研究GaSb进行掺杂后,薄膜光电特性、结构特性和控制掺杂等方面,随蒸发源温度、衬底温度和Te掺杂浓度的变化.
Te掺杂GaSb薄膜的性能研究
【摘 要】
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本文主要采用共蒸发法来制备GaSb薄膜,其中靠蒸发源的温度来控制反应的用量以及Te的掺杂浓度.主要研究GaSb进行掺杂后,薄膜光电特性、结构特性和控制掺杂等方面,随蒸发源温度
【机 构】
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南开大学信息技术科学学院电子科学与微电子系,天津300071
【出 处】
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第13届中国光伏大会
【发表日期】
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2013年期
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