【摘 要】
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本文主要从功率角度探讨了分子束外延AlInAs/GaInAs/InP HEMT结构材料生长,其典型数据为M～8400cm/V.S,2DEG≥4.5E12cm.给出了HEMT的结构参数及定温Hall-van der Pauw法测试结
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本文主要从功率角度探讨了分子束外延Al<,0.48>In<,0.52>As/Ga<,0.47>In<,0.53>As/InP HEMT结构材料生长,其典型数据为M<,300K>～8400cm<2>/V.S,2DEG≥4.5E12cm<-2>.给出了HEMT的结构参数及定温Hall-van der Pauw法测试结果.
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