背栅偏压相关论文
我们由TF FD AM SOI PMOSFET的栅下硅膜物理状态随外加偏压的变化出发,对其在-5V背栅偏压下的导电机理进行了比较深入的探讨,导出......
随着集成电路核心器件特征尺寸的不断缩减,传统体硅器件的短沟道效应变得愈发不可控。当工艺节点进入到28nm后,全耗尽绝缘体上硅(F......
学位
全耗尽绝缘体上硅(FDSOI)器件具有出色的短沟道效应(SCE)控制能力等优势,是22 nm及以下的CMOS技术节点中的有力竞争者。为了研究减......
随着CMOS技术发展到22nm技术节点以下,体硅平面器件达到等比例缩小的极限。全耗尽超薄绝缘体上硅CMOS(FDSOI)技术具有优秀的短沟道......
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