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采用电化学直流极化和交流阻抗技术，并通过控制光照条件，研究了Ｎ（１００）硅片／氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能。结果表明，有光照条件下，硅片／氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起主导作用，黑暗条件下硅片处于消耗期，因而其半导体性能起着重要的作用。
半导体硅片的电化学研究Ⅰ.N(100)硅片
【摘 要】
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采用电化学直流极化和交流阻抗技术，并通过控制光照条件，研究了Ｎ（１００）硅片／氢氟酸体系的电化学特性和半导体性能。结果表明，有光照条件下，硅片／氢氟酸界面上的电化学反应很容易发生且起主
【机 构】
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大学化学系,材料科学系,固体表面物理化学国家重点实验室
【出 处】
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1998年全国半导体硅材料学术会议
【发表日期】
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1998年期
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