硅抛光片相关论文
硅抛光片表面质量除了受抛光工艺参数影响外,在很大程度上还受抛光液的影响。通过检测表面Haze值和粗糙度,研究硅抛光片表面形貌,......
通过对不同晶向、不同型号、不同电阻率的硅抛光片的去除速率做实验,发现去除速率随着晶向、型号、电阻率的不同而存在较大差异......
半导体硅始终被认为是电子和微电子工业中最主要的材料,目前IC技术已实现0.13μm,正在迈进小于90nm的时代.这使得IC制作过程的成品......
由北京有色金属研究总院承担的“ 0.5~ 0.6μ m IC用 8英寸硅rn单晶抛光片研制”及“蒸气压控制直拉法生长半绝缘 GaArns单晶新技术......
硅抛光片清洗的目的在于清除有机物沾污、表面颗粒、金属沾污、自然氧化膜等。本文阐述了硅抛光片湿法清洗的工作原理,并对硅抛光......
1997年8月30日设在北京有色金属研究总院的半导体材料国家工程研究中心,成功地拉制出我国第一根直径12英寸(300mm)等径长度400mm、......
精细sic微粉主要应用于高性能材料的切割、抛光加工和碳化硅制品两个领域。在超大规模IC级多晶硅抛光片产品加工使用的高档sic微粉......
据相关媒体报道,天津市重大工业项目——节能型电子器件用6英寸硅抛光片产业化项目,日前在天津中环电子信息集团建成投产,年生产能力......
在硅片厚度测量工作中,发现硅化学腐蚀片采用机械测厚和电容法测厚所得的数据存在差异,通过一系列对比实验对这一差异产生的原因进......
宁波立立电子股份有限公司(简称宁波立立)自2000年6月在宁波保税区注册成立以来,一直致力于重掺系列硅单晶锭、硅抛光片和外延片及复......
在硅抛光片的清洗技术中,湿法清洗技术仍然是主流清洗技术。随着抛光片尺寸增大,传统的手工清洗方式和半自动清洗方式已经不适于大尺......
产业回顾与展望: 2001年是整个半导体产业发展最低潮的一年,也是国内、国外企业竞争最激烈的一年。据有关专家分析,2001年整个国际......
快速退火(RTA)单晶硅片时,硅片内部会形成一种特殊的空位分布.空位的分布将决定后序两步退火(800℃,4h+1000℃,16h)后生成的洁净区......
介绍了硅抛光片在硅材料产业中的定位和市场情况,化学机械抛光(CMP)技术的特点,硅抛光片大尺寸化技术问题和发展趋势,以及硅抛光片......
<正> 半导体器件支撑着庞大的信息产业,而半导体器件93%以上是硅器件,它们以硅片为基础材料。本文将叙述半导体器件和硅片在世界与......
<正> 随着大规模集成电路集成度的不断提高,加工线条越来越细,对硅抛光片的弯曲度要求也越来越高。1985年联邦德国瓦克公司的产品......
日前,洛阳单晶硅集团有限责任公司(洛单集团)成功拉制8英寸电路级单晶硅棒,标志着洛单集团年产36万片8英寸硅抛光片项目试生产成功,将进......
信息产业已成为现代经济的先导产业,以集成电路为核心的电子元器件是信息产业的基础,硅片是集成电路最主要的基础功能材料,在信息......