【摘 要】
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近年来,低成本和高效率的多晶硅已经成为最主要光伏材料之一。本文从太阳能电池制备工艺角度出发,综述了国内外近年来关于对铸造多晶硅杂质和缺陷处理方面的工艺研究进展。分析比较了各种处理工艺,包括磷吸杂,铝吸杂,磷铝共吸杂,和多孔硅吸杂,对杂质吸除效果、少子寿命的影响。也分析了钝化和热处理工艺对多晶硅材料性能的影响。综合考虑成本要求和除杂效果,高温P-Al联合吸杂以及多孔硅吸杂是较好的选择。它们可能在未来
【机 构】
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制造部 常州天合光能有限公司,江苏省常州市新北区电子产业园天合路,213031 南京光伏学生研究会
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近年来,低成本和高效率的多晶硅已经成为最主要光伏材料之一。本文从太阳能电池制备工艺角度出发,综述了国内外近年来关于对铸造多晶硅杂质和缺陷处理方面的工艺研究进展。分析比较了各种处理工艺,包括磷吸杂,铝吸杂,磷铝共吸杂,和多孔硅吸杂,对杂质吸除效果、少子寿命的影响。也分析了钝化和热处理工艺对多晶硅材料性能的影响。综合考虑成本要求和除杂效果,高温P-Al联合吸杂以及多孔硅吸杂是较好的选择。它们可能在未来的铸造多晶硅除杂工艺领域中占据重要地位。
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采用射频等离子体增强化学气相沉积技术,制备了不同硼掺杂浓度的p型μc-Si∶H材料。实验结果表明:随着硼掺杂浓度的增大,p型μc-Si∶H材料的沉积速率随着掺杂浓度的增大有所增加；掺杂浓度的不同对于材料的结构特性有较大影响,材料的结晶体积分数和平均晶粒尺寸均随着硼掺杂浓度的增大而减小；材料的暗电导随着掺杂浓度的增加呈现出先增大后减小的变化,在掺杂浓度为1％的时候,p层的暗电导率最大,但随着掺杂浓度
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采用溶胶-凝胶法(sol-gel)在普通载玻片上制备了ZnO∶Al薄膜,在200-600℃下退火.利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明:退火温度在300℃以上,薄膜开始结晶,400℃以上,薄膜出现明显结晶,且沿(002)方向择优取向,随着退火温度升高,(002)峰的强度逐渐增强,晶粒尺寸逐渐增加；薄膜在可见光范围内的
利用中频直流磁控反应溅射法在玻璃衬底上制备了3h的AZO透明导电薄膜。利用XRD四探针法和分光光度计分别研究了不同衬底温度下薄膜的晶体结构、电学和光学特性。研究结果表明:所制备的AZO薄膜并没有表现出明显的(002)c轴择优取向,这可能是由于长时间沉积引起的晶面能演变导致。电阻率在衬底温度为270℃时取得2.5×10-3Ω·cm,分别从微观、薄膜生长机制、晶体结构和薄膜显微结构的角度分析了薄膜电阻
从拓展光利用的角度,绒面陷光结构已经成为提高太阳电池效率的最佳方式之一。本文提出可以进行光管理的另—个思路,即利用分布式布拉格反射(DBR)结构,具有可以有选择性地提高反射率的概念,构建类"微腔"式结构,进行电池内光谱合理分配的实验性设计思路。文中采用适用于光学薄膜设计的Essential Macleod v8.10软件,依据本实验室实测硅基薄膜及透明导电薄膜的光学参数,设计了ZnO薄膜与硅基薄膜
本文尝试为等离子体化学气相沉积(PECVD)制备的微晶硅(μc-Si∶H)薄膜太阳电池的P型与I型微晶硅(μc-Si∶H)材料和N型非晶硅(a-Si∶H)材料建立简单实用的光学模型,用以拟合可见和近红外范围(370nm-1000nm)的光谱椭圆偏振测量值(Ψ和Δ)而得到这些材料的光学常数(折射率和吸收系数)谱。采用了Tauc-Lorentz振子模型,并考虑玻璃衬底下表面反射和硅薄膜表面氧化层与粗糙
本文采用铝的化学盐溶液作为金属诱导源,实现了对LPCVD制备非晶硅薄膜的晶化。将实验条件对晶化效果的影响与XPS的测试结果结合,对溶液法化学源铝诱导晶化的机理进行了初步的探讨。得到的结论是在退火过程中,薄膜表面反应物中的Al原子首先被薄膜表面Si原子替换出来,并进人非晶硅薄膜内部与Si形成Al/Si固溶体,进而发生诱导晶化。晶化后的薄膜经过优化,可以用于多晶硅薄膜电池的制备,具有良好的应用前景。
近年来，太阳电池工业的迅猛发展致使制备单晶硅的原材料供应十分紧张，加之大部分的硅单晶生产厂家是新参与者，不太了解硅的质量与太阳电池性能之间的关系，因而饥不择食地购入了大量的垃圾原料诸如：极低阻的重掺硅料；祸底料；薄镀膜片，彩片；电池废片等杂料，误认为可通过型号补偿以及化学物理法处理后，只要凑合太阳电池所需型号和电阻率的要求，拉成单晶，甚至连少子寿命都不测，就提供给用户制作太阳电池，必然造成电池的转
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