【摘 要】
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采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)分析了N注入前后氮化碳薄膜中N、C的含量及其
【机 构】
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武汉大学物理科学与技术学院(湖北武汉)
【出 处】
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第四届中国功能材料及其应用学术会议
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采用低压等离子体增强化学气相沉积法(LP-PECVD)制备氮化碳薄膜;低能离子注入机对制备的薄膜进行N<,2><+>注入掺杂.X射线光电子能谱(XPS)分析了N<,2><+>注入前后氮化碳薄膜中N、C的含量及其结合能的变化情况;10<-6>Pa超高真空下对注入前后的氮化碳薄膜进行了电子场发射测试,发射起始场强≤2.5V/μm,稳定发射电流≥1mA/cm<2>;结果表明,经N<,2><+>注入后的氮化碳薄膜的电子场发射特性得到明显增强.
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