【摘 要】
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采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度为600℃时，我们可以获得弛豫度为98％的虚衬底结构，而SiGe合金层的组分不变。当退火温度达到800℃时，底层的低温锗(LT-Ge)与上层的SiGe合金发生互扩散。当退火温度为1000℃时，Ge层融化变为液体，底层的Si层会向LT-Ge层扩散，并在界面处形成一层100nm厚且Ge组分较大的SiGe合金层。我
【机 构】
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厦门大学物理系半导体光子学研究中心,福建厦门 361005
【出 处】
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第十七届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
论文部分内容阅读
采用低温Ge缓冲层技术制备出SiGe虚衬底结构，研究常规退火对其热稳定性的影响。当退火温度为600℃时，我们可以获得弛豫度为98％的虚衬底结构，而SiGe合金层的组分不变。当退火温度达到800℃时，底层的低温锗(LT-Ge)与上层的SiGe合金发生互扩散。当退火温度为1000℃时，Ge层融化变为液体，底层的Si层会向LT-Ge层扩散，并在界面处形成一层100nm厚且Ge组分较大的SiGe合金层。我们发现，Ge在SiGe合金和Si中的扩散系数会随退火温度的升高而变化；不同的扩散系数会引起SiGe弛豫衬底热稳定性的变化。
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