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Cu2ZnSnS4材料具有与CIGS材料相似的光学性质和半导体性质,且原料丰富,是CIGS重要的后备材料[1].近年来有关CZTS薄膜材料及光伏电池的研究已成为薄膜太阳电池领域的研究热点[2].本文利用电化学共沉积的方法在ITO玻璃衬底上制备了Cu2ZnSnS4 (CZTS)预制层薄膜,然后在H2S气氛中进行硫化.CZTS薄膜硫化温度为520度,硫化时间为30min;薄膜硫化之后,立即进行化学水浴沉积CdS缓冲层薄膜.接着进行ZnO前电极的制备.