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应用Al<,2>O<,3>＋SiO<,2>→Mul的合成反应引入负反馈，产生“热过冲自我抑制”。使微波烧结ZTM/SiCp得以顺利进行。用微波烧结成功复相陶瓷ZTM／SiCp．常规无压烧结ZTM／SiCp中，SiC含量超过20vol℅时样品将起泡，微波烧结不受此限制。烧结过程中，微波场强E存在一临界值，E超过临界值，“热过冲自我抑制”作用将失效。场强E可以通过埋粉来调节。烧结ZTM/SiCp最适宜的埋粉是SiC。