硅基GaN外延生长的界面分析

来源 :1998年全国半导体硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：danyuhong

【摘要】

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该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了ＧａＮ外延层，利用Ｘ射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析，发现在界面外存在着一层ＧａＮ多晶过渡层，这层过渡层能够有效地

【作者】

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张昊翔叶志镇赵炳辉李先杭汪雷

【机构】

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大学硅材料国家重点实验室

【出处】

：

1998年全国半导体硅材料学术会议

【发表日期】

：

1998年期

【关键词】

：

硅基外延生长外延层过渡层真空反应法射线衍射仪投射电镜晶体质量晶格失配界面模型多晶材料

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该文报导了在硅基上用真空反应法生长出了ＧａＮ外延层，利用Ｘ射线衍射仪和投射电镜对外延层和初底处的界面情况进行了研究分析，发现在界面外存在着一层ＧａＮ多晶过渡层，这层过渡层能够有效地缓解由两种材料晶格失配引起的应变，改善外延层的晶体质量。同时初步建立了在Ｓｉ初底上生长ＧａＮ的模型。

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