【摘 要】
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近年來AlN(Aluminium Nitride)被廣泛的應用,因為它擁有良好的絕緣電阻(＞1016Ω·m)、高熱傳導係數(320 W/m · k)、低熱膨脹係數(20～500℃,4.6×10-6/k)且無毒性等.因為這些優良的特性,AlN 被廣泛的使用在電子材料基材上.本實驗利用溶膠凝膠法配製AlN 凝膠,以旋轉塗佈方式披覆於商業用氧化鋁基板上,探討披覆層之相變化、顯微結構、機械性質與粗糙度等影
【机 构】
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近年來AlN(Aluminium Nitride)被廣泛的應用,因為它擁有良好的絕緣電阻(＞1016Ω·m)、高熱傳導係數(320 W/m · k)、低熱膨脹係數(20～500℃,4.6×10-6/k)且無毒性等.因為這些優良的特性,AlN 被廣泛的使用在電子材料基材上.本實驗利用溶膠凝膠法配製AlN 凝膠,以旋轉塗佈方式披覆於商業用氧化鋁基板上,探討披覆層之相變化、顯微結構、機械性質與粗糙度等影響.氮化鋁溶膠的起始原料為尿素、硝酸鋁、蔗糖、界面活性劑.當蔗糖添加量在0.625 mol％以上,煆燒至1300℃,且持溫5 分鐘時,可合成出氮化鋁粉末.AlN 披覆層煆燒在1300℃,經由ESCA(Electron Spectroscopy for Chemical Analysis)分析得知氮含量由持溫5 分鐘的5.75 at％降至持溫60 分鐘的3.5at％,再降至持溫120 分鐘的0 at％.平均粗糙度亦可被改善,由未披覆時82.5 nm 至披覆後的63.4 nm,且披覆層之附著力可達8.75 MPa.AlN 披覆層煆燒在Al2O3 基板上,其熱傳導係數接近氧化鋁熱傳導係數,而無明顯改善.
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本研究主要探討以水熱法(Hydrothermal method)在不同加熱方式下製備氧化鋅奈米柱(ZnO Nanorods)之性能比較。首先,奈米柱的製備係利用陰極電弧(Cathodic Vacuum Arc Deposition,CVAD)系統以低溫製程(＜75℃)製備氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)晶種層於玻璃基板,再透過水熱法在90℃溫度下成長氧化鋅奈米柱陣列。針對奈米柱以X-光繞射儀
本研究探討陰極電弧(Cathodic Vacuum Arc Deposition,CVAD)系統以低溫製程(＜75℃)製備透明導電氧化鋅(Zinc Oxide,ZnO)薄膜於聚醯亞胺(Polyimide,PI)基板的機械性質。利用奈米壓痕試驗儀針對薄膜進行不同的負載、負載施加時間和保持時間來分析材料的硬度和表面間的變形等機械性能。另外在刮痕測試下,判斷薄膜刮損機制和薄膜與基板之間的黏合性。結果表明
染料敏化太陽能電池(Dye-sensitized Solar Cell,DSSC)因具有成本低、製程簡易的優點,因此被視為有潛力再生能源之裝置。染料敏化太陽能電池之光陽極以FTO 基板結合二氧化鈦顆粒燒結體較為普遍,二氧化鈦奈米組織尤其為提升光電轉換效能之關鍵。因應DSSC 在可撓與耐候性上的需求,本實驗旨在結合鈦箔表面奈米化處理以及二氧化鈦摻雜增加導電性,研製新型高效能光陽極。有別一般鍍膜製程,
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穩定的介電特性,一直是積層陶瓷電容器(Multilayer ceramic capacitors,MLCCs)應用所需介電陶瓷材料的基本訴求.而本研究探討在固定添加劑種類和含量時,額外共摻雜Sc2O3 和MgO 對於還原氣氛燒結BaTiO3 之介電特性影響,並觀察其所造成之微觀結構變化.添加Sc2O3 具有抑制BaTiO3 晶粒成長之作用,而MgO 則具有促進晶粒成長之功效,在兩者相互作用之下可得
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