【摘 要】
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通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO上沉积AlO薄膜,在能量120keV剂量5×10cm下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所离子束重点实验室(上海)
【出 处】
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第十二届全国电子束、离子束和光子束学术年会
论文部分内容阅读
通过离子束辅助沉积(IBED)在热氧化SiO<,2>上沉积Al<,2>O<,3>薄膜,在能量120keV剂量5×10<15>cm<-2>下离子注入Er离子,Ar气环境下500~1000℃退火1h.低温下测试PL谱线,发现700℃退火样品强度特别低.光透射谱表明几乎所有的测试范围内尤其在1.53um处700℃退火样品的透射谱强度最强,波导损耗最低.1.53um波长处透射强度随退火温度的变化跟PL谱中发光强度的变化相反.说明Er离子在514.5nm泵谱吸收界面σ跟Al<,2>O<,3>的光吸收损耗有一定关系.
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