【摘 要】
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我们在拓扑绝缘体Bi2Se3的基础上,成功地插入碱土金属元素Sr,获得了SrxBi2Se3超导单晶体.SrxBi2Se3表现出很高的超导体积分数(超过90％),较低的载流子浓度(1019/cm3),并且
【机 构】
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中国科学院强磁场科学中心,合肥230031
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我们在拓扑绝缘体Bi2Se3的基础上,成功地插入碱土金属元素Sr,获得了SrxBi2Se3超导单晶体.SrxBi2Se3表现出很高的超导体积分数(超过90％),较低的载流子浓度(1019/cm3),并且在空气中非常稳定,是研究潜在的拓扑超导电性的理想体系.我们利用强磁场下的输运性质测试,从几个方面给出该体系具有可能的拓扑性质.对SrxBi2Se3体系施加一定的压力会破坏其超导电性,有意思的是,当压力超过8 GPa时,出现了超导电性的再生现象.和Bi2Se3拓扑绝缘体类似,高压Raman光谱显示该体系在约7 GPa和12 GPa时发生了两次结构相变,SrxBi2Se3体系中超导电性的再生现象可能和结构相变有关.
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