论文部分内容阅读
本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子效率、峰值波长及模式半宽会随入射角度的变化进行了详细模拟分析.
谐振腔增强型GaInNAs探测器与入射角度相关特性的实验研究
【摘 要】
：
本文对1.3μmGaInNAs量子阱谐振腔增强型(RCE)探测器的角度相关的响应特性进行了实验研究.并用传输矩阵法对影响该RCE探测器的量子效率、峰值波长及模式半宽会随入射角度的变化进行了详细模拟分析.
【机 构】
：
中国科学院半导体研究所,集成光电国家重点实验室 北京邮电大学
【出 处】
：
第十二届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2002年3期
其他文献
通过对磷化铟晶体中产生孪晶的机理和原因的研究分析,建立了一套适合(100)磷化铟单晶生长的热场系统,重复生长出掺硫和掺铁的整锭(100)磷化铟单晶.在此条件下生长的(100)磷化铟单晶具有低的位错密度和优异的电学均匀性.(100)磷化铟单晶生长的现象与Hurle关于孪晶形成机理的理论研究结果一致.
随着互联网的快速发展,可调谐技术日益成为DWDM技术中不可或缺的重要技术.在众多的可调谐技术中,MEMS(Micro-Electro-Mechanical-System)技术由于其特有的优势—能够实现低成本,低功耗和大的调谐范围,已被公认是最佳的解决途径之一.本文介绍了利用Si表面微机械技术,在Si衬底上制作1.55μm Fabry-Perot共振腔型的可调谐光滤波器.其原理是利用上下反射镜的静电
采用UHV/CVD锗硅薄膜生长工艺在SOI衬底上生长应变SiGe/Si结构后,用CMOS工艺流水线制作横向叉指状PIN光电探测器.测试结果为:在垂直入射光照射下,其响应波长范围为0.5~1.2μm,峰值响应波长为0.97μm,在峰值响应波长的响应度为0.4μA/μW.在0~4V的反向偏压下,其暗电流水平低于0.1pA/μm,寄生电容小于1pF.与CMOS集成电路制作具有良好的兼容性.
通过对(NH)S硫钝化后GaInAsSb样品的AES和XPS分析,S对减小器件表面复合速度、提高器件性能起主要作用.钝化后探测器的电学性能和探测率有较大提高,峰值探测率达到1.69×10cmH/W.
本文报道了国内首次研制的具有平顶陡边光谱响应的谐振腔增强型(RCE)光电探测器的实验结果,其响应光谱所具有的明显的耦合腔效应证明了我们独立提出的器件结构的正确性和可行性.我们通过高精度可控腐蚀的方法精确控制腐蚀的厚度从而对第一个腔的模式波长进行调整.腐蚀后测量的结果与模拟得到的结果非常吻合,最后探测器得到了初步具有平顶陡边的光谱响应.
本文报导了GaAs基近红外RCE型发射器和接收器的实验结果,并对用相同生长结构的芯片制作发射器和接收器的可行性、兼容性及其优化进行了物理分析.
本文研究了(NH)S钝化处理对MBE生长的InGaAsSb PIN探测器暗电流密度的影响,报道了一路改进的新的中性(NH)S钝化方法,器件的暗电流密度在0.5V的偏压下降了一个数量级.
采用金属有机物化学气相外延(MOCVD)方法,在蓝宝石衬底上以低温GaN为缓冲层生长了GaN外延层.以上述材料制备了金属-半导体-金属(M-S-M)光导型探测器.对该探测器进行了测量,其光谱响应表明:从330nm到360nm内都有较高的响应,并且在360nm附近有陡峭的截止边.该探测器的工作电压范围大,在30V偏压下最大响应度约为7000A/W.研究了光从探测器的正反两面入射时对响应度的影响,并讨
InP单晶材料作为最重要的化合物半导体材料之一,由于其本身具有的优越特性,使其在光纤通信、微波、毫米波、抗辐射太阳能电池、异质结晶体管等许多高技术领域有广泛的应用.由于InP基的光电器件、微电子器件近些年发展十分迅速,所以各主要发达国家普遍加强了对大直径、高质量InP单晶材料研究的投入,以保证可靠的衬底来源.九十年代末美国、日本率先生长出4英寸InP单晶,而我国还停留在2-3英寸的水平上,为了与国