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氢氧化钾各向异性腐蚀制作近似圆形单晶硅膜的掩膜补偿技术
氢氧化钾各向异性腐蚀制作近似圆形单晶硅膜的掩膜补偿技术
来源 :第五届全国敏感元件与传感器学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:superzergking
【摘 要】
:
该文介绍我们通过掩膜图形的设计,在(100)单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作正八边形单晶硅膜的方法。据此技术可获得最小外接圆半径仅为腐蚀深度的2.67倍的小尺寸正八边形单晶硅膜
【作 者】
:
战长青
庞江涛
【机 构】
:
大学微电子学研究所
【出 处】
:
第五届全国敏感元件与传感器学术会议
【发表日期】
:
1997年期
【关键词】
:
氢氧化钾
各向异性腐蚀
制作
圆形
单晶硅膜
掩膜
外接圆半径
力学性能
腐蚀深度
动力机械
小尺寸
图形
设计
面积
技术
硅上
方形
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该文介绍我们通过掩膜图形的设计,在(100)单晶硅上利用氢氧化钾各向异性腐蚀制作正八边形单晶硅膜的方法。据此技术可获得最小外接圆半径仅为腐蚀深度的2.67倍的小尺寸正八边形单晶硅膜,其力学性能大大优于同样面积的等厚方形单晶硅膜,满足微动力机械的要求。
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