漂移区部分氧化柱体硅LDMOS

来源 :中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jiaojiao2008zwj

【摘要】

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本文提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.三维

【作者】

：

黄示郭宇锋姚佳飞徐光明

【机构】

：

南京邮电大学电子科学与工程学院,南京 210003

【出处】

：

中国电子学会电路与系统学会第二十四届年会

【发表日期】

：

2013年期

【关键词】

：

漂移区电阻部分氧化柱体击穿电压器件仿真软件结构漂移区电场 LDMOS

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本文提出了一种漂移区部分氧化柱体硅LDMOS.此结构将N型漂移区用N型硅柱和氧化柱相互交替来代替,利用氧化柱对漂移区电场的调制作用改善电场分布,从而提高器件击穿电压.三维器件仿真软件Davinci仿真结果表明在漂移区厚度为0.5μm时,该结构较常规体硅LDMOS结构击穿电压提高了24.4％,而且可以使漂移区掺杂浓度提高74.2％,从而降低漂移区电阻.

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