【摘 要】
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通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3%)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究,同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较.发现两者虽然同为含In体系,但是在InAlN材料中并未表现出与InGaN相似的In组分明显的空间不均匀性.
【机 构】
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北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京100871
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通过变温光致荧光谱和阴极荧光谱等实验手段对于与GaN晶格匹配的InxAl1-xN (x=17.3%)厚膜材料中In组分空间均匀性进行了研究,同时将实验结果与类似组分的InGaN材料进行了比较.发现两者虽然同为含In体系,但是在InAlN材料中并未表现出与InGaN相似的In组分明显的空间不均匀性.
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