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会议论文
硅基铁电薄膜的性能研究
硅基铁电薄膜的性能研究
来源 :第四届全国微米/纳米技术学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hzy11
【摘 要】
:
以Sol-Gel方法制备了硅基PZT铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属铂、钛.测试了铁电薄膜的介电、铁电性能,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优
【作 者】
:
任天令
张林涛
刘理天
李志坚
【机 构】
:
清华大学微电子所(北京)
【出 处】
:
第四届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
:
2000年期
【关键词】
:
硅基
铁电薄膜
衬底电极
铁电性能
薄膜性能
金属铂
硅衬底
介电
溅射
法制
低阻
测试
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以Sol-Gel方法制备了硅基PZT铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属铂、钛.测试了铁电薄膜的介电、铁电性能,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势.
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