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以Sol-Gel方法制备了硅基PZT铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属铂、钛.测试了铁电薄膜的介电、铁电性能,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优势.
硅基铁电薄膜的性能研究
【摘 要】
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以Sol-Gel方法制备了硅基PZT铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属铂、钛.测试了铁电薄膜的介电、铁电性能,比较了两种衬底电极对铁电薄膜性能的影响及各自的优
【机 构】
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清华大学微电子所(北京)
【出 处】
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第四届全国微米/纳米技术学术会议
【发表日期】
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2000年期
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