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针对有机半导体领域的发展要求,报道了一种能够应用于有机半导体领域衬底浮空的新型SOI LDMOS(silicon on insulator lateral doub......
以Sol-Gel方法制备了硅基PZT铁电薄膜,底电极分别为低阻硅和硅衬底上溅射的金属铂、钛.测试了铁电薄膜的介电、铁电性能,比较了两......
结合丝网印刷技术、烘烤工艺和烧结工艺,采用印刷ZnO层和银浆层相结合的方案,进行了分段复合衬底电极的制作。该分段复合衬底电极......
通过丝网印刷技术,将碳纳米管(carbon nanotube,CNT)浆料直接转移到CrCuCr薄膜衬底电极、掺Sn的In2O3(indium tin oxides,ITO)透明......