GaN基纯蓝激光器的特性

来源 :第12届全国发光学学术会议暨发光学相关产业研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cookid
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  由于激光的高色纯度,按三基色合成原理在色度图上形成的色度三角形面积最大,色域覆盖率可达90%,远高于目前CRT电视、液晶电视、等离子电视的40%左右,因而激光显示的图像有着比现有彩色电视更大的色域、更高的对比度和亮度.激光显示被认为是下一代的主流显示技术,在电视、家庭影院、大屏幕显示和便携投影机领域具有巨大的应用前景采用InGaN作为有源发光层的GaN基激光二极管可以实现紫光、蓝光和绿光激射. GaN基蓝、绿光激光器与现有的半导体红光激光器一起,是实现彩色显示的全半导体三基色光源,是实现激光显示的关键部件,因此是GaN基激光器的下一个潜在市场.我们采用MOCVD在GaN衬底上生长了纯蓝光激光器结构,并制作了器件,实现了室温脉冲和连续激射.如图1所示脉冲激射波长为454.6nm,阈值电压为5.9V,阈值电流密度为3.3kA/cm2.在此论文中,我们将讨论蓝光激光器的特性及InGaN波导层对蓝光激光器特性的影响.
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为了提高器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的电致发光,在本论文中我们研究了以MoO3和ZnS为缓冲层的器件ITO/缓冲层/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al的发光特性.在器件ITO/ZnO/ZnO纳米棒/MEH-PPV/Al中,在直流电场下,我们观察到了ZnO纳米棒在380nm的近紫外电致发光.通过研究纳米棒的生长时间、晶种退火温度以及有机层厚度对器件发光性能的影响,总
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人们对掺杂半导体纳米晶的发光性质及其在发光显示器、传感器等方向上的应用进行了广泛研究[1]。由于利用传统的掺杂方法在水相合成Mn掺杂CdS纳米晶[2],无法准确控制Mn离子在纳米晶中的位置和浓度,所获得的纳米晶的发光效率低。直到2005年,彭笑刚研究小组首次报道了利用成核掺杂方法合了稳定性好、发光效率达50%以上的ZnSe:Mn量子点[3],因此人们期待着利用这种新方法通过控制Mn离子的位置来合成
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目前在医学、生物以及工业测试中得到广泛应用的数字X射线成像技术主要通过闪烁材料将X射线转变成可见光并通过电荷耦合器件(CCD)进行探测,然而传统上常用的闪烁晶体随着厚度的增加导致可见光的各向同性展宽并进而降低了成像的空间分辨率。构建薄膜闪烁光纤阵列是目前提高空间分辨的有效方法。本工作以广泛应用的CsI(Tl)晶体为研究对象,通过射频溅射以玻璃光纤为模板,制备具有柱状微结构的闪烁薄膜材料,对其发光及
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After several decades, rare earth doped semiconductor quantum dots(QDs) still remain the focus of the scientific community.Dopants can strongly influence optical behavior, provide carriers, and so on.
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