【摘 要】
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伴随击穿的发生立方氮化硼(cBN)晶体产生电致变色现象。基于这一现象,我们利用650nm激光进行了吸收调制实验。在直流情况下。测得cBN晶体击穿及恢复时的吸收瞬态响应时间为50
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室吉林大学实验区,吉林大学电了科学与子程学院,长春 130012
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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伴随击穿的发生立方氮化硼(cBN)晶体产生电致变色现象。基于这一现象,我们利用650nm激光进行了吸收调制实验。在直流情况下。测得cBN晶体击穿及恢复时的吸收瞬态响应时间为50ms。晶体对光的吸收程度随着击穿后电流的增加而线性增大。在交流情况下,cBN晶体的吸收调制信号随着电流的增加也呈现线性增大的趋势,并且这种吸收调制无偏振特性。cBN晶体电致变色现象的发现及其直流瞬态响应、交流吸收调制特性的研究使其在电光调制、光开关等方面有新的潜在应用。
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