【摘 要】
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利用分子束外延生长方法我们制备了两组样品,一组为含有自组织生长GaSb量子点的GaAs/AlGaAs调制掺杂高电子迁移率结构。另一组为不含量子点的调制掺杂高电子迁移率参照结构。
【机 构】
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国家纳米科学中心,北京 100190
【出 处】
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第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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利用分子束外延生长方法我们制备了两组样品,一组为含有自组织生长GaSb量子点的GaAs/AlGaAs调制掺杂高电子迁移率结构。另一组为不含量子点的调制掺杂高电子迁移率参照结构。通过对这两组样品的低温(4.2K)输运特性的研究,即量子Hall测量和shubnikov-de Haas(SDH)震荡实验,我们拟合得出每种样品的输运寿命、量子散射寿命、以及两种散射寿命的比值等参数。通过系统改变栅压,我们研究了每种结构中不同载流子浓度对输运寿命和量子散射寿命的影响。实验还针对Gasb量子点在[110]和[1-10]两个方向存在的结构不对称性，研究了量子点对二维电子气（2DEG）在这两个方向上散射影响的各向异性。
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